北森瓦版 - Northwood Blog (Author : 北森四葉. Since July 10, 2006.)
Micron Begins Mass Production Of 16Gb 1z-Class DDR4 RAM(Tom's Hardware)
Micron Commences Volume Production of 1z Nanometer DRAM Process Node(Micron)

Micronは8月15日、DRAM scalingの進化を発表し、同社が世界で初の1z nmプロセス技術を用いた16Gbit DDR4 DRAMの大量生産を開始したことを明らかにした。

「業界で最も小さなDRAMノードの開発と大量生産はMicronが世界に通用する技術と生産能力を備えていることの証しだ。特に現在、DRAMのスケーリングは非常に複雑なものになっている」
同社のScott DeBoer氏 (executive vice president of Technology Development for Micron Technology) は語った。
「最初に市場投入できることは、Micronの立場をより強固なものとし、今後も幅広いポートフィリオをもって顧客に高品質なソリューション提供できる」
[Micron 1z nm classの16Gbit DDR4 DRAMの大量生産を開始]の続きを読む
SK Hynix reveals insanely fast HBM2E memory - Faster than an RTX 2080 on a single chip(OC3D)

SK Hynixはメモリスタックあたり460GB/sの帯域を実現する世界最速のHBM memory製品を発表した。スタックあたりの容量は最大16GBである。

GeForce RTX 2080に使用されている8GBのGDDR6の帯域は448GB/sである。つまり、SK Hynixは2倍の容量でかつより広い帯域を有するHBM2E製品を発表したことになる。
[SK Hynix 世界最速を謳うHBM2E memoryを明らかに]の続きを読む
Toshiba and Western Digital Readying 128-layer 3D NAND Flash(techPowerUp!)
Western Digital and Toshiba have reportedly created 128-layer 3D NAND(OC3D)

東芝とWesternDigitalは高密度な128層3D NAND flash memoryを準備している。東芝の命名規則に従うと、この3D NAND flash memoryはBiCS-5と呼ばれることになるだろう。興味深いのはこの128層3D NANDがQLC (4-bit per cell) ではなくTLC (3-bit per cell) で実装されていることである。QLC NANDについてはイールドの低さが指摘されていることも関係があるだろう。しかしTLC NANDながらも現行の96層3D NANDと比較すると、新しい128層3D NANDの容量は512Gbitに達し、33%の容量増加を成し遂げている。
この128層3D NANDの商用生産は2020~2021年を予定している。
[東芝とWesternDigitalが128層3D NANDを準備中]の続きを読む
SK Hynix Fellow Says PC5 DDR5 by 2020, DDR6 Development Underway(techPowerUp!)
DDR6: identification phase for the DDR5 successor(ComputerBase.de)

DDR5メモリはまもなくローンチされ、そしてその次のDDR6の開発が始まっている。

DRAMの世代進化においては過去数十年、周波数を向上させる一方、電圧はそのままかより低く抑えられてきた。また時に他の機能も変更、例えばECCの機能の強化が行われることもあったが、より高い周波数とより広い帯域を目指してきた。サーバーやハイエンドプラットフォームではプラットフォーム側のメモリチャネル数の増加もあり、メモリ帯域の向上は達成され続けてきた。
[【SK Hynix】DDR5は2020年、DDR6の開発も進行中]の続きを読む
JEDEC lets RAM makers bake 12-layer, 24-GB HBM cakes(The Tech Report)
JEDEC updates High Bandwidth Memory standard (up to 24GB per stack)(VideoCardz)
JEDEC Updates Groundbreaking High Bandwidth Memory (HBM) Standard(JEDEC)

JEDECは12月17日、JESD235 High Bandwidth Memory (HBM) DRAM規格の更新を行った。今回の更新によりJESD235Bとなり、より広いメモリ帯域を得られるようになる。
[JEDEC 12層のHigh Bandwidth Memory (HBM)を標準化]の続きを読む
Candence and Micron DDR5 Update - 1.36x more performance at the same speeds(OC3D)
DDR5 Is on Our Doorstep(Cadence / Breakfast Bytes Blogs)

DDR5はDDR4の次の世代のメモリ規格で、DRAM周波数の向上とともに、消費電力の削減や容量の増加、クロックスピードにおける全体の底上げが図られる

DDR5での最大の変更点が16Gbit以上のチップをモノリシックな設計でサポートすることだ。これにより1枚のモジュールあたりの容量を、ダイの積層等の技術を用いずとも増量させることができるようになる。
[DDR5は2019年後半より生産が開始される]の続きを読む
Crucial DDR4-2933 Registered DIMMs Now Available(techPowerUp!)

Crucialは8月28日、サーバー向けメモリの新製品としてのDDR4-2933 Regsitered DIMMを発表した。DDR4-2933 RDIMMはIntelの次世代Xeon processor製品群をサポートし、同製品において最大の速度とピーク効率を提供するものとなる。

容量は最大32GBである。

ここで言われている“次世代Xeon”は今年第4四半期に登場するとされている“Cascade Lake-SP”であろう。また言及はないが2019年前半予定の第2世代EPYC―“Rome”もDDR4-2933をサポートする可能性は大いにあるだろう。

Micron Begins Mass Production of GDDR6(AnandTech)
Micron Begins Volume Production of GDDR6 High Performance Memory(Micron)

Micronは6月25日、8GbitのGDDR6の大量生産を開始したと発表した。GDDR6はこれまでのGDDR5よりも高速で大幅な性能向上を実現し、アクセラレーションやグラフィックス、ネットワーク、自動運転などの最先端アプリケーションにより広い帯域をもたらすものである。
[【Micron】GDDR6の大量生産を開始]の続きを読む
Micron Ready With 96-Layer Flash & 1Y nm DRAM in 2H 2018(techPowerUp!)

決算報告においてMicronは2018年下半期に予定されている96層3D NAND Flashの大量生産は順調であると説明した。現在、多くのSSDでは32層NANDが用いられており、Crucial MX500などのいくつかの製品で64層NANDが用いられている。96層NAND Flashは3D NANDの第3世代となり、チップあたりの容量を増加させられるとともに、より小さく、より電力効率を高めることができる。
[Micronは2018年下半期に96層NANDと1Y nm DRAMを予定している]の続きを読む
Cadence and Micron demo DDR5 4400MHz memory - 2019 release(OC3D)

JEDECはまだDDR5メモリの最終仕様を発表していないが、MicronとCadenceが仮仕様の段階でDDR5のデモを行った。

DDR5はDDR4の後継となり、2倍の性能を実現するとともに省電力化を図る。今回Micronが明らかにしたDDR5は4400MHzで動作する8Gbitのチップである。駆動電圧は1.1Vで、DDR4より9%の低電圧化が成されている。
[CadenceとMicronがDDR5 4400MHzのデモを行う―2019年リリース予定]の続きを読む
Rambus Talks HBM3, DDR5 in Investor Meeting(techPowerUp!)
HBM3 and DDR5: Rambus wants to interfere with the Next Gen memory(ComputerBase.de)

Rambusが投資家向けカンファレンスで、HBM 3とDDR5の展望を示した。

そのRambusが示した資料が掲載されています。

一枚目は“Rambus Memory PHY Solutions”と題されたものです。
DDR4/3とHBM 2そして将来のメモリ技術であるHBM 3とDDR5が示されています。
[Rambusが示したDDR5とHBM 3の展望]の続きを読む
Intel Readies Optane DIMM Roll-out for 2018(techPowerUp!)

Intelが2018年下半期にOptane DIMMをローンチすると報じられている。Optane DIMMはこの20年あまりに渡るコンピュータメモリの歴史において大きな転換点となり、DRAMとNAND Flashそれぞれの良い特徴を併せ持った不揮発メモリとして登場する。Optane DIMMはDRAMが持つ低いレイテンシと、NAND Flashが持つ不揮発性(=データ保持に電力供給を必要としない)を有する。
[Intel Optane DIMMを2018年にローンチ予定]の続きを読む
Micron Shows off Their 32GB DDR4 NVDIMM-N Modules at SuperComputing 2017 Event(techPowerUp!)
Micron Announces 32GB DDR4 NVDIMM-N Modules(AnandTech)

SC'17でMicronは11月14日、従来の2倍の容量となる32GBのNVDIMM-Nモジュールを発表した。

NVDIMM-Nの構造についてはAnandTechに“NVDIMM Anatomy”と題されたわかりやすい図が掲載されています。NVDIMMにはDRAMチップとデータをバックアップするためのNAND flash、これらへの書き込みを制御するコントローラ、バックアップ電源に接続するためのコネクタが搭載されています。

Micronはこれまで8GBと16GBのDDR4 NVDIMMを製品化してきましたが、今回の製品は従来の2倍の容量となります。速度は最大でDDR4-2933 CL21、搭載されるNAND flashは64GBのSLC NAND flashとなるようです。

・・・さすがにこれを個人で使う猛者はそうそうおるまい。
Samsung wins two CES awards for GDDR6 memory and next-gen SSD(KitGuru)
Samsung Will Show Off GDDR6 Memory and 8TB NGSFF NVMe SSD At CES 2018(Legit Reviews)
Samsung、NGSFF NVMe SSD「PM983」やGDDR6グラフィックスメモリを準備中(hermitage akihabara)
Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards(Samsung Newroom)

Samsung Electronicsは11月9日、CES 2018 Innovation Awardsを受賞した36の最新製品を発表した。

このうちPCに関連が深いものとして16GbのGDDR6メモリと8TBのNFSFF NVMe SSD (PM983) があります。
[【Samsung】CES 2018でGDDR6や8TBのNGSFF NVMe SSDを披露予定]の続きを読む
Micron To Release 16 Gbps GDDR5X - GDDR6 Next year (Guru3D)
Micron provides updates on GDDR5X and GDDR6 development(HEXUS)

Micronは先週末にGDDR5XとGDDR6の開発・製品化状況を明らかにした。まずGDDR5Xについて示され、現在10Gbps, 11Gbps, 12Gbpsのチップが製品化されており、、現在は16GbpsのGDDR5Xチップの試験を行っているとした。一方、GDDR6の開発については、GDDR6はdual-channel architectureであると説明した上で、大量生産が2018年はじめになると述べた。
[【Micron】GDDR5XとGDDR6の開発状況を明らかに]の続きを読む
SK Hynix intros 8Gb GDDR6(DigiTimes)
SK Hynix intros 8Gb GDDR6 DRAM(HEXUS)
SK Hynix promises GDDR6 graphics cards by early 2018(bit-tech.net)
SK Hynix、「GDDR6 DRAM」8Gbモジュールを発表(Impress PC Watch)
SK Hynix Inc. Introduces Industry’s Fastest 8Gb Graphics DRAM (GDDR6)(SK Hynix)

SK Hynixは4月24日、同社の2Znmプロセスを用いて製造された8GbのGDDR6メモリを発表した。このGDDR6はpinあたり16Gbpsの転送速度を実現するといい、ハイエンドグラフィックカードで用いられる384-bitインターフェースと組み合わせた場合は768GB/sの帯域を得られるとしている。
[【SK Hynix】8GbのGDDR6を発表]の続きを読む
HBM3 and GDDR6 emerge fresh from the oven of Hot Chips(The Tech Report)
次世代メモリDDR5、HBM3、LPDDR5、GDDR6の姿が徐々に見えてきた(Impress PC Watch / 後藤弘茂のWeekly海外ニュース)

詳しい話は後藤氏のコラムを読んで頂くのが一番なのでここでは簡単に。

◇DDR5
最大転送速度は6.4Gbps、チップ容量は32Gbit、駆動電圧は1.1Vとなる見込み(DDR4はそれぞれ3.2Gbps, 16Gbit, 1.2V)。規格策定は2016年中だが、立ち上がるのは2020年になる模様。

2020年というと現在の“Skylake”から4世代後の“TigerLake”の世代だろうか。あるいはその前の“IceLake”でDDR4/DDR5両対応という形で立ち上げるか。
[【HotChips】DDR5, HBM3, GDDR6など]の続きを読む
SK Hynix to Ship HBM2 Memory by Q3-2016(techPowerUp!)

SK Hynixは2016年第3四半期よりHBM 2の出荷を開始する。出荷されるのは4 Hi-stackで4GBのHBM 2で、速度は2.00Gbps(256GB/s per stack)のH5VR32ESM4H-20Cと1.60Gbps(204GB/s per stack)となるH5VR32ESM4H-12Cの2種類が用意される。

1つのstackが4GBなので、これを4096-bitインターフェースで4 stack搭載することにより合計16GBと前世代のHBM 1の4倍の容量を実現できます。

HBM 2を搭載するGPUとしてはNVIDIAのGP100が発表されていますが、これの投入は必然的にこのHBM 2の出荷を待つことになるため、GP100搭載製品の市場投入もこのHBM 2の出荷に合わせた時期となるでしょう。一方、AMDは“Vega”でHBM 2を使用しますが、これの登場時期は一時は2016年10月という予想も出ましたが、最近では2017年前半という見方が大勢を占めるようになっています。
Micron GDDR5X Enters Mass Production – GeForce GTX 1080 Uses It!(Legit Reviews)
NVIDIA Launches GTX1080 with Micron GDDR5X(Micron)

MicronがGDDR5Xについて初めて言及したのは2015年9月である。そしてその次の2016年2月にはGDDR5Xが夏までの大量生産を目指して順調に進んでいることを示した。そして本日5月10日、世界初のGDDR5X搭載グラフィックカード(=GeForce GTX 1080)が発表されたことを非常に嬉しく思う。GDDR5Xは既に大量生産に入っている。GDDR5XによりGaming, Virtual RealityではGPUの性能の向上はめざましく、より高く効率的なメモリ帯域の確保が急務であるが、GDDR5Xはこれを実現する良い製品となるだろう。
[GDDR5Xの量産は既に開始されている]の続きを読む
Micron Reports on GDDR5X Dev Progress - Volume Production This Summer(AnandTech)
Micron on-track for GDDR5X mass production(bit-tech.net)
GDDR5X has Arrived(Micron)

Micronは2月11日、GDDR5Xは今夏の大量生産に向けて順調に進んでいることを明らかにした。そして現在第1世代の8Gbitモジュールについて小規模試験生産が完了したとも報告した。
[Micron GDDR5Xの開発進捗状況を報告]の続きを読む