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エルピーダ、64MbitのReRAMの開発に成功~シャープ、東大、産総研との共同開発(Impress PC Watch)
新メモリ(高速不揮発性抵抗変化型メモリ、ReRAM)の開発に成功(Elpida)

Elpidaは1月24日、次世代メモリの一種である高速不揮発性抵抗変化型メモリ―ReRAMの開発に成功したと発表した。
この開発はNEDOとの共同研究事業で、シャープ、独立行政法人産業技術総合研究所、東京大学との共同実施で行われた。


今回開発されたReRAMは50nmプロセスを用いて製造され、容量は64Mbitとなる。

ReRAMは電圧を加えることで抵抗値が変化する材料を素子とした不揮発性メモリで、書き換え速度が10nsとDRAM並の速度を有する一方、書き換え回数は100万回以上とNANDの10倍以上となっている。

今後は2013年に30nmプロセスでGbitクラスのReRAMの量産を目指すとしています。

いろいろと苦しい状況が伝えられているElpidaですが、何とか踏みとどまって良いものを作り続けて欲しいものです。