北森瓦版 - Northwood Blog (Author : 北森四葉. Since July 10, 2006.)
AMD, Globalfoundries, Others Set to Use Fully-Depleted SOI with 14nm, 20nm Chips.(X-bit labs)

半導体の物質のデザイン/設計を行っているSoitecがFully depleted poroduct(ここで述べている“Fully depleted product”は完全空乏型SOI(=Fully depleted SOI以下FD-SOIウエハ製造に使われる物質のことと思われる)のロードマップを明らかにした。このFD-SOIは従来のPlanarと3次元構造のFinFET両方のトランジスタに対応できるものだという。そして、AMDやGlobalFoundriesを初めとするいくつかのメーカーが20nmプロセスのFD-SOI採用に興味を示しているという。
 
「我々のFD productのロードマップは半導体業界のニーズに対応するのに必須のものであり、現在直面している製造技術における課題を解決しうるものだ。今回のFD productはPlanarとFinFET両方を選択することができる。今回のFD productでコストや性能、消費電力といった現在半導体製造において直面する問題を解決するものとなる。
FD-2Dはまもなく利用可能となり、劇的な性能向上を約束する。一方、FinFETとともに用いられるFD-3Dも業界全体で実現可能なものとなりつつあり、スケジュールを加速しつつリスクを減らしていく」
SoitecのCOOであるPaul Boudre氏は上記のように語った。


業界を見渡してみると、おそらくGlobalFoundriesとAMDを初めとするそのパートナーが20nmプロセスあるいはそれ以降のプロセスでFD-SOIを使用することになるだろう。

FD-2D製品はPlanar型トランジスタにおいてFD-SOIを実現するもので、早ければ28nmプロセスから導入可能であり、その後の先端プロセスにも応用することが出来るという。
一方、FD-3D製品は3次元構造のFinFETとともに用いられるもので、現在は実際のシリコンを用いて導入を容易にするべく開発が続けられており、20nmプロセス以下をターゲットとしている。


今回FD-SOIに必要な製品を開発したと発表のはSoitecというメーカーです。それ自体はGlobalFoundriesやAMDがどうのこうのという話ではありませんが、このFD製品を用いたFD-SOIプロセスをGlobalFoundriesなどが20nmプロセスあるいはそれ以降のプロセスで採用を検討することになるのではないかという予想がされています。