北森瓦版

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東芝とSanDisk 15nmプロセスのNANDフラッシュメモリを開発

2014/04/23(Wed)

Toshiba and SanDisk shift to 15 nm manufacturing process for NAND memory（VR-Zone）
東芝とSanDisk、世界初15nmプロセスNANDフラッシュメモリ（Impress PC Watch）
世界初、15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの量産について（東芝）
SANDISK ANNOUNCES 15 NANOMETER TECHNOLOGY, WORLD’S MOST ADVANCED NAND FLASH MANUFACTURING NODE（SanDisk）

東芝とSanDiskは4月23日、15nmプロセスを使用したNANDフラッシュメモリを発表した。東芝によるとこの15nmプロセスNANDフラッシュメモリは容量が128Gbit（16GB）で、2 bit-per-cellのものであるという。15nmプロセスへの移行と、高速なインターフェースの採用により、データ転送速度は533Mbit/secに達するという。この数字は19nmメモリモジュールの1.3倍である。

　
SanDiskは1Z-nm nodeと呼ばれていた製品として15nmプロセスのNANDを発表した。SanDiskは2 bit-per-cellと3 bit per-cellの製品を2014年下半期に投入するといい、リムーバブルドライブやSSDなどへの搭載を見込んでいる。上級副社長であるSiva Sivaram氏によると、15nmプロセスへの移行により、現行世代の1Y-nm nodeよりもコストパフォーマンスに優れたNANDモジュールを生産できるという。

東芝とSanDiskが15nmプロセスを用いたNANDフラッシュメモリを発表しました。今回東芝が発表したのは2 bit-per-cellで128Gbit（16GB）のチップで、データ転送速度は533Mbit/secとなります。
この15nm NANDは四日市工場で19nm第2世代から切り替える形で量産に入ります。今後は3 bit-per-cellの製品も生産が開始されるようです。