北森瓦版 - Northwood Blog (Author : 北森四葉. Since July 10, 2006.)
Micron Ready With 96-Layer Flash & 1Y nm DRAM in 2H 2018(techPowerUp!)

決算報告においてMicronは2018年下半期に予定されている96層3D NAND Flashの大量生産は順調であると説明した。現在、多くのSSDでは32層NANDが用いられており、Crucial MX500などのいくつかの製品で64層NANDが用いられている。96層NAND Flashは3D NANDの第3世代となり、チップあたりの容量を増加させられるとともに、より小さく、より電力効率を高めることができる。
 
また2点目として、Micronは現行世代の1X nm (18nm) DRAMの生産が昨年末を上回ると予測しており、また次の世代となる1Y nm (15nm/16nm) DRAMは2018年下半期の出荷にむっけて順調に進めていると説明した。

今のメモリの高騰状態がすぐにどうこうなるとも思えないものの、好材料であることは確か。

より可能性があるのは1Y nmでより大容量で高速なMicronチップ搭載モジュールが出回ることになることだろうか。16GBのDDR4-2933モジュールはぜひとも期待したいところ。


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