北森瓦版 - Northwood Blog (Author : 北森四葉. Since July 10, 2006.)
Micron: 128-Layer 4th 3D NAND with RG Architecture Coming Soon(AnandTech)
STRONG TECHNOLOGY AND ROADMAP EXECUTION(Micron / PDF files)

Micronは新たにReplacement Gate (RG) architectureを用いた第4世代3D NANDのテープアウトを発表した。今回のテープアウトの発表は同社が2020年に向けた第4世代3D NANDの製品化まで順調に進んでいることを明らかにしている。しかし、一方でこの新たな3D NANDを用いた製品は限られた用途にとどまり、来年の3D NANDのコスト削減は軽微なものにとどまるともしている。
 
Micronの第4世代3D NANDは最大128層で、引き続き“CMOS Under the Array”を用いる。また第4世代ではこれまでIntelとMicronが用いてきたFloating gate technologyからGate Replacement technologyへ切り替わり、ダイサイズおよびコストの低減を図る一方、高性能化と次世代プロセスノードへの移行の容易化を見込んでいる。この技術はIntelとの共同ではなくMicron単独で開発されている。

各NANDメーカーから100層を超えるNAND製品技術が明らかにされ始めているが、Micronもまた128層の3D NANDのテープアウトを明らかにした。来年の製品化を目指すとしているが、この世代の製品はそれほど大々的に展開されるわけではなく、来年中の3D NANDのコスト低減は軽微なものであるとも述べている。どちらかというと96層NANDの方が来年は主流となる模様で、128層が主流となるのはもう少し先の模様である。また新たに導入されたReplacement Gate architectureへの切り替えによるコスト低減も効果が出始めるのは2020年後半以降になると述べている。


コメント
この記事へのコメント
166600 
おーこれは楽しみ。早くssdを新世代の最大容量に置き換えたいから高くてもひとまず出して欲しいものですね。

個人的にはwd・東芝・サンディスクの連合に期待してるので
wdからも早く発表が出てほしい物です
2019/10/09(Wed) 02:38 | URL | LGA774 #-[ 編集]
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